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光刻膠主流市場(chǎng)的選擇美國(guó)MICRO-CHEM負(fù)性光刻膠
2020-07-03 17:41:37    閱讀:3060

我們推薦美國(guó)Micro-Chem SU-8 2000系列 和升級(jí)版后 SU-8 3000系列搭配顯影液 SU-8 Developer 可以達(dá)到完美的使用效果

SU- 8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián),是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠,可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;且 SU- 8膠不導(dǎo)電,在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。由于具有較多優(yōu)點(diǎn),SU- 8膠正被逐漸應(yīng)用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前,直接采用 SU- 8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。
SU 8光刻膠光刻前清洗工藝:
為了獲得更好的光刻效果,在進(jìn)行光刻膠旋涂之前,需要對(duì)基材進(jìn)行清洗。常用的清洗方法是利用濃硫酸及雙氧水的混合溶液浸泡,隨后用去離子水清洗并用氮?dú)獯蹈伞3酥膺€可以利用反應(yīng)離子刻蝕或等離子表面清洗儀清洗。
SU 8光刻膠
光刻工藝:
將 SU- 8光刻膠組分旋涂在基材上,旋涂厚度幾幾百微米。涂覆晶片經(jīng)過前烘并冷卻室溫。在烘干過程中,優(yōu)先選擇加熱均勻且溫度控制精確的加熱板;不能使用鼓風(fēng)干燥箱,防止因?yàn)楣饪棠z表面優(yōu)先固化從而阻止內(nèi)層光刻膠溶劑的揮發(fā)。冷卻后,將負(fù)光掩模與涂覆晶片接觸并在汞燈的紫外輻射劑量10-250mJ/㎝2條件下進(jìn)行曝光。曝光結(jié)束后,選擇合適的烘烤溫度及時(shí)間。將晶片在顯影液中浸漬顯影,隨后用氮?dú)獯蹈伞?/span>
SU-8光刻膠
的優(yōu)點(diǎn):
1、SU-8光刻膠在近紫外光(365nm- 400nm)范圍內(nèi)光吸收度很低,且整個(gè)光刻膠層所獲得的曝光量均勻一致,可得到具有垂直側(cè)壁和高深寬比的厚膜圖形;
2、SU-8光刻膠具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性;
3、SU-8在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián),是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠,可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形;
4、SU-8膠不導(dǎo)電,在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。
由于具有較多優(yōu)點(diǎn),SU-8 膠正被逐漸應(yīng)用于 MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前,直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中,SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。

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